La Memoria flash Una Manera es desarrollada de la memoria EEPROM Que permite Que Múltiples Posiciones de memoria sean escritas o borradas en Una Misma Operación de Programación MEDIANTE Impulsos Eléctricos, Frente A Las Anteriores Que only permite Escribir o Borrar Una Única Celda Cada Vez. Por Ello, flash permite funcionar una velocidades Muy Superiores Cuando Los Sistemas Lectura y escritura emplean en Diferentes Puntos de this Memoria de Al Mismo Tiempo.
Funcionamiento
Flash, Tipo de como de EEPROM Que es, UNA contiene Matriz de celdas Con Un transistor evolucionado Con dos puertas en Cada intersección. Tradicionalmente almacenan Un solo poco de Información. Las Nuevas memorias flash, Llamadas also Dispositivos de celdas multi-Nivel, pueden Almacenar Más de bits de la ONU Por Celda variando El Número de electrones almacenan QUE.
ESTAS memorias estan basadas en El transistor FAMOS (Flotante Puerta Avalancha-Inyección de Metal Oxide Semiconductor) Que es, esencialmente, el transistor de la ONU NMOS Con Un conductor (basado en las Naciones Unidas Óxido Metálico) Adicional localizado o empresarios de La Puerta de control (CG - Control Gate) y los Terminales Fuente / drenador Contenidos en Otra Puerta (FG - Puerta flotante) o Alrededor de la FG conteniendo los electrones almacenan Que La Información.
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